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摘要
以三甲基氯硅烷对多级孔二氧化硅进行烷基化,随后通过两步辐射诱导接枝季鏻盐,制备了一种新型季鏻化多级孔二氧化硅材料,命名为HPS-C-P。傅里叶变换红外光谱(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)和比表面积(BET)分析表明,烷基和季鏻盐均匀接枝在多级孔二氧化硅表面。考察了HPS-C-P对ReO_4~-的吸附性能,发现HPS-C-P对ReO_4~-的吸附在4 min内即可达到平衡,最大吸附量可达140.5 mg/g,高于化学方法修饰季鏻盐的多级孔二氧化硅的最大吸附量74.4 mg/g。ReO_4~-的浓度与竞争离子的浓度比为40∶1时,相对于NO_3~-、SO_4~(2-)、Cl~-,CO_3~(2-)和PO_4~(3-),HPS-C-P对ReO_4~-的分离因子(SF)最大可达159、827、557、681、1 905,高于大多数目前报道的吸附材料。HPS-C-P具有良好的抗辐射性能和循环吸附性能,FTIR和XPS分析表明ReO_4~-通过离子交换机理被HPS-C-P吸附。这项工作提供了一种制备高效硅基吸附剂的新方法,此吸附剂即便暴露于辐射环境中仍可以高选择性地从水溶液中去除Re。
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