闪存读出电路的电流基准设计

作者：皮小燕

来源：电子技术, 2021, 50(02): 12-13.

• 嵌入式闪存
• 读出电路
• 基准电流

基于SST闪存工艺,设计了一款温度系数可抵消并且电压波动可跟随的参考电流基准,作为闪存读出放大电路的基准电流。该电路在GF 55nm的嵌入式闪存工艺上完成多次流片,测试结果表明该电路可工作在1.5～3.6V电压范围,-50C～150℃温度范围,实现11ns的读出速度,以及10万次的读写。