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摘要
采用第一性原理的方法，系统研究了外力调控下TiIrBi的电子结构以及热电特性。结果表明，TiIrBi是一种直接带隙的半导体材料，对其施加外力，在应变从-4%到4%的过程中，带隙减小，电子结构得到调控。当压缩应变ε=-1%时，TiIrBi的电子结构由直接带隙变化为间接带隙。施加压缩应变时，热电性能明显提高，热电优值达到0.96,n型掺杂影响显著。因此，压缩应变调控了TiIrBi的电子结构，提高了TiIrBi的热电性能。
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单位物理学院; 河南工学院; 河南师范大学
