5G毫米波通信用低插损高隔离GaAs PHEMT单刀双掷开关

作者：袁丹丹; 张志浩; 张艺; 殷锐昊; 章国豪

来源：半导体技术, 2022, 47(01): 55-59.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.01.010

• 5G毫米波
• 单刀双掷(SPDT)开关
• GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)
• 低插损
• 高隔离

基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,实现了一款用于5G毫米波通信的低插损高隔离单刀双掷(SPDT)开关芯片。为了降低插损,每个开关支路通过四分之一波长阻抗变换器连接到天线端,并通过优化传输线和器件总栅宽实现了良好的端口匹配;为了提高隔离度,采用了三并联多节枝的分布式架构形成高的输入阻抗状态,实现信号的全反射。芯片面积为2.1 mm×1.1 mm。在片测试结果显示,在24.25～29.5 GHz的5G毫米波频段内该SPDT开关实现了小于1.1 dB的极低插损和大于32 dB的高隔离度,1 dB压缩点输入功率大于26 dBm。

• 单位
  广东工业大学