摘要

提出新型金属埋栅结构来改良透明导电氧化物薄膜(TCO)的光电性能,并分别采用AZO和ITO这2种TCO材料制备和对比3类薄膜(单层TCO薄膜、TCO/金属薄膜/TCO以及TCO/金属栅线/TCO三明治结构的薄膜)的光学和电学性能。本文制备的新型叠层AZO/Mg栅线/AZO和ITO/Ag栅线/ITO结构在300~1200 nm范围内光学透过率保持约在85%,方阻分别降低至1.94和91 Ω/□。将ITO/Ag栅线/ITO作为TCO用在n-CdS/p-Si异质结电池上取得了 9.31%的效率,相比单层ITO的电池转换效率提高了 6.03%。该工作为低方阻、高光学透过率TCO的制备提供了一种行之有效的思路,在光电子器件上也具有一定的应用前景。

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