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摘要
共掺杂离子是优化晶体闪烁性能的重要手段之一,本文采用提拉法生长了GAGG∶Ce和GAGG∶Ce,0.1%Mg晶体。通过测试硬度、透过率、X射线激发发射（XEL）谱和符合时间分辨率等方法研究了微量MgO掺杂对GAGG∶Ce光学及闪烁性能的影响。GAGG∶Ce和GAGG∶Ce,Mg的维氏硬度平均值分别为1 430 kg/mm2和1 420.4 kg/mm2,表明Mg2+的掺杂几乎没有对GAGG∶Ce的硬度产生影响。XEL谱结果表明,共掺杂Mg2+后GAGG∶Ce晶体的发光峰值波长约为540 nm,但5d1→2F5/2及5d1→2F7/2发射峰红移了12～24 nm,Mg2+的引入可能改变了Ce3+的5d1激发态向2F5/2和2F7/2跃迁几率分布。通过共掺杂Mg2+,发现尽管光产额由5.8×10～8 lx/MeV（58 000 ph/MeV）降低为4.15×10～8 lx/MeV（41 500 ph/MeV）,但GAGG∶Ce,Mg符合时间分辨率得到了显著改善,达146 ps。此外,比较不同尺寸样品的光产额,发现GAGG∶Ce,Mg对闪烁发光的自吸收程度小于GAGG∶Ce。以上结果表明,微量MgO掺杂是优化GAGG∶Ce晶体闪烁性能的有效途径。
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