基于AHB总线的高性能SRAM控制器设计

作者:霍冠廷; 刘清源; 王良清; 金玉丰*
来源:集成电路应用, 2020, 37(05): 22-25.
DOI:10.19339/j.issn.1674-2583.2020.05.007

摘要

分析表明,AHB总线是一种专为高性能同步传输设计的总线,直接连接CPU、片上内存、DMA和外部内存接口。AHB协议规定的时序与RAM时序存在差异,导致当AHB发出写操作后立即发出读操作时,SRAM无法对在当前周期对这一读操作进行处理,需要至少插入一个时钟周期的以等待地址线被释放。这一等待导致总线效率降低,无法在一个周期发起一次操作。针对以上问题对基于AHB协议的同步RAM接口进行设计,通过调整读写顺序以实现乱序操作来消除等待周期,并对优化后的模块进行充分验证及性能测试。经模块仿真及测试,提出的方法能够有效提高AHB总线访问SRAM的效率,具备较高的工程应用价值。

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