Te掺杂对TiCoSb基Half-Heusler化合物高温热电性能的影响

作者：吴汀; 江莞; 陈立东; 李小亚; 张建峰

来源：稀有金属材料与工程, 2007, S2: 412-414.

• half-Heusler化合物
• TiCOSb
• 固相反应
• 热电性能 HalfoHeusler compounds
• TiCoSb
• solid-state reaction
• thermoelectric properties

采用固相反应法制备了Te掺杂的TiCoSb基half-Heusler化合物。X射线衍射分析表明,Te掺杂的TiCoSb化合物是单相。在300～850 K的温度范围内测量了材料的电阻率、赛贝克系数和热导率。结果表明:未经掺杂的TiCoSb化合物是n型半导体,在高温下有很高的赛贝克系数。在Sb位掺杂Te后,材料的电阻率和赛贝克系数的绝对值随着掺杂量的增加明显降低。材料的热导率随着掺杂量的增加而呈小幅度减小。Te掺杂后材料ZT值提高,最高的ZT值比基体提高了5倍多。

• 单位
  高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室; 中国科学院上海硅酸盐研究所; 中国科学院研究生院