Ag@MoS2/P(VDF-HFP)电介质复合材料的制备及性能研究

作者：胡思超; 李衡峰; 杨科

来源：绝缘材料, 2020, 53(05): 1-7.

DOI：10.16790/j.cnki.1009-9239.im.2020.05.001

• Ag纳米线
• 二硫化钼
• 核壳结构
• 复合材料
• 介电性能

采用两步水热法制备了高长径比核-壳结构Ag@MoS2纳米线,以P(VDF-HFP)为基体、Ag@MoS2纳米线作为填料,在不同填充量下通过溶液共混和流延法制备了复合材料薄膜。采用SEM、TEM、XRD、XPS等对Ag@MoS2的微观结构、尺寸、化学成分进行表征,并利用SEM和阻抗分析仪对复合材料的微观形貌和介电性能进行表征。结果表明:Ag@MoS2填料在聚合物基体中分散均匀,且两相之间的界面结合效果良好。随着填料含量的增加,复合材料的介电常数逐渐增大,当Ag@MoS2的质量分数为35%时,1 kHz下复合材料的介电常数为67.2,介质损耗因数仅为0.15,且复合材料的介电常数和介质损耗呈现出较弱的频率依赖性。

• 单位
  中南大学