直流磁控溅射制备大面积AZO透明导电薄膜

作者：郭杏元; 许生; 曾鹏举; 谭晓华; 严松涛; 范垂祯

来源：真空, 2010, (04): 46-50.

DOI：10.13385/j.cnki.vacuum.2010.04.017

• 薄膜太阳能电池
• 大面积镀膜
• 掺铝氧化锌
• 磁控溅射 thin-film solar cell
• large-area
• aluminum doped zinc oxide(AZO)
• magnetron sputtering

采用直流磁控溅射工艺于200℃的玻璃基板制备了大面积AZO透明导电薄膜。重点研究了样品晶体结构、方阻、可见光透过率、样品形貌等随其位置变化的情况。研究表明,大面积AZO薄膜的晶体结构、可见光透过率、样品形貌等随样品位置变化比较小,大面积AZO样品均按C轴取向生长,表面平整,晶粒尺寸为20 nm左右。在本实验条件下获得的大面积AZO薄膜方阻在86～110Ω/□范围内,方阻线性变动率为28%,样品电阻率为6.34～7.26×10-4Ω·cm,可见光平均透过率均高于87%。

• 单位
  深圳豪威真空光电子股份有限公司; 深圳大学