AlGaN/GaN HEMT氢气传感器室温下响应特性的研究

作者：陈金龙; 阎大伟; 王雪敏; 曹林洪; 吴卫东^*

来源：广州化工, 2020, 48(14): 57-60.

• AlGaN/GaN HEMT
• 氢气传感器
• 栅压
• 灵敏度

制作了基于AlGaN/GaN HEMT结构的微型氢气传感器。本文研究了室温条件下栅压与传感器氢气响应特性的关系。研究结果表明随着外加栅压(-2.5 V至0.5 V)的增大,传感器对氢气响应的灵敏度减小,最大灵敏度在阈值电压VG=-2.5 V处,传感器对25 ppm氢气响应的灵敏度为87.1%,响应时间为15 s。当VG=-2.5 V,VDS=6 V时,传感器对氢气响应的灵敏度随浓度的升高而增大,且呈对数关系。研究表明Pt/AlGaN/GaN HEMT结构的氢气传感器可应用于室温氢气检测,具有极高的应用潜力。

• 单位
  西南科技大学; 中国工程物理研究院激光聚变研究中心