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摘要
本发明公开了一种多层存储结构透射电子显微镜原位电学测试单元制备方法,所涉及加工的多层存储结构测试单元用于TEM原位电学测试,包括相变存储单元或阻变存储单元,依次由金属电极A层、存储材料层、金属电极B层、选通管材料层和金属电极C层构成。本发明首先将上述多层结构依次沉积到平面衬底上,形成多层膜结构,再利用聚焦离子束(FIB)提取技术,将多层膜截面提出,转移到通电芯片上,经过聚焦离子束刻蚀技术的进一步减薄加工最终制作出多层存储结构、尺寸可控的TEM原位电学测试单元。该结构制备简单,可一次制备完成,保证层与层之间的欧姆接触,且各层厚度精确可控。
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