针对高压对顶砧入射角度受限、样品微小的特殊测量条件，设计原位椭偏测量系统，实现450～700 nm光谱范围的小角度椭偏测量。建立光学模型，获得2～9 GPa下单晶硅的折射率，发现单晶硅的折射率随压力增加而增大。与高压拉曼光谱的对比说明椭偏法原位监测材料光学性质变化的可能性。本文研究可为高压下材料的光学常数及其原位测量提供有益补充。
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