电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结

作者：武慧珍; 茹国平; 张永刚; 金成国; 水野文二; 蒋玉龙; 屈新萍; 李炳宗

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2006, (11): 1966-1969.

• 电化学电容-电压
• 超浅结
• 杂质浓度 electrochemical capacitance-voltage
• ultra-shallow junction
• dopant concentration

采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p+n结进行了电学表征.通过对超浅p+n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p+层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用.

• 单位
  复旦大学; 信息功能材料国家重点实验室; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所