等离子体增强化学气相沉积端面减反膜的研究

作者：张立江; 熊兵; 王健; 孙长征; 钱可元; 罗毅

来源：半导体光电, 2004, (05): 380-383+387.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2004.05.014

• 减反射膜
• 等离子体增强化学气相沉积
• 低反射率 antireflection coating
• PECVD
• low reflectivity

　利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制作半导体有源器件端面减反膜的方法简单易行,且适合进行大规模在片制作。采用1/4波长匹配法对减反膜的折射率、膜厚及其容差进行了理论设计,并在选定折射率下,对PECVD的沉积速率进行了测量。在此基础上,制作了1.31μmInGaAsP氧化膜条形结构超辐射发光二极管,通过测定输出光谱调制系数的方法确定出减反射膜的反射率为6.8×10-4,并且具有很好的可重复性。

• 单位
  集成光电子学国家重点实验室; 清华大学; 清华大学深圳研究生院