体硅上外延超薄Si1-xGex用于制备SGOI材料

作者：薛忠营; 张波; 魏星; 张苗

来源：功能材料与器件学报, 2011, (02): 147-150.

• 外延
• 应变
• 锗硅
• SGOI epitaxy
• strain
• SiGe
• SGOI

采用减压化学气相沉积的方法在Si衬底上制备了高质量的Si0.75Ge0.25/Si/Si0.86Ge0.14叠层材料,通过TEM、光学显微镜和XRD分析表明,外延的SiGe薄膜具有完好的晶格结构,平整的表面质量,SiGe薄膜处于完全应变状态。通过与Si上外延渐变缓冲层制备的SiGe材料比较发现,使用这种超薄的全应变SiGe叠层材料来制备SGOI,可以大大缩短制备周期,降低制备成本。

• 单位
  中科院上海微系统与信息技术研究所; 中国科学院研究生院; 信息功能材料国家重点实验室