一种基于平面流铸技术制备无取向硅钢极薄带的方法

作者：鲍思前; 程远遥; 刘晨; 胡家瑞; 常佳琦; 许德明; 郭锐; 杨旭; 康筱龙

来源：2023-08-04, 中国, CN202310981198.5.

一种基于平面流铸制技术制备无取向硅钢极薄带的方法：以纯铁和高纯硅为原料,在1480～1650℃内熔融后浇铸成母合金铸锭；采用平面流铸制备无取向硅钢极薄带；进行平整；涂覆绝缘层并缠绕成卷,在气体保护下退火,经保温后随炉冷却至室温。本发明在保证B-(50)>≥1.59T,P-(1T/400Hz)≤12.88W/kg下,制备厚度在0.05～0.12mm,宽度在2～10mm的无取向硅钢极薄带,工艺相对简单、综合性能优良,且由于不添加其它元素而使生产成本可降低至少15％。

• 单位
  武汉科技大学