热电优化设计的沟槽MOS型氧化镓功率二极管及制作方法

作者：李园; 杨一彤; 陆小力; 何云龙; 马晓华; 赵元富; 郝跃

来源：2022-11-28, 中国, CN202211502046.4.

本发明公开了一种热电优化设计的沟槽MOS型氧化镓功率二极管及制作方法,包括：β-Ga-2O-3漂移层,位于β-Ga-2O-3衬底的上表面；凹槽阵列,间隔分布于β-Ga-2O-3漂移层上；凹槽阵列与β-Ga-2O-3漂移层面内的[100]晶向分别呈一定角度布局；绝缘层,填充于凹槽阵列每一凹槽内,并覆盖于每一凹槽顶部侧边缘处的β-Ga-2O-3漂移层上表面；场板终端,位于沟槽阵列有源区四周的β-Ga-2O-3漂移层上表面,且场板终端为自内而外呈一定斜坡角度或呈台阶状分布的斜场板结构；阳极,位于绝缘层、β-Ga-2O-3漂移层,以及部分场板终端上表面；阴极,位于β-Ga-2O-3衬底下表面。本发明有效提高了氧化镓二极管的热电特性。

• 单位
  西安电子科技大学