SiC MOSFET驱动与保护电路设计

作者：咸粤飞; 崔晓光; 胡冰; 邵春伟; 赵栋; 赵振华; 闫青亮

来源：半导体技术, 2022, 47(08): 660-664.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.08.011

• SiC MOSFET
• 驱动电路
• 保护电路
• 尖峰
• 振荡
• 吸收电路

介绍了SiC MOSFET驱动电路的设计要求，基于ACPL-355JC光耦驱动模块设计了SiC MOSFET驱动和保护电路。该电路具有驱动能力强、响应迅速和多种保护等优势。另外，针对SiC MOSFET开关过程中存在的瞬态电压尖峰和振荡问题，分析了SiC MOSFET开关过程中产生过电压和振荡的机理，并在此基础上提出一种RC吸收电路参数的计算方法。实验结果表明利用该方法设计的RC吸收电路能够有效解决SiC MOSFET在开关过程中的过电压和振荡问题﹐从硬件电路上有效降低开关噪声，从而保护功率器件。

• 单位
  中车青岛四方车辆研究所有限公司