SiC MOSFET驱动与保护电路设计

作者:咸粤飞; 崔晓光; 胡冰; 邵春伟; 赵栋; 赵振华; 闫青亮
来源:半导体技术, 2022, 47(08): 660-664.
DOI:10.13290/j.cnki.bdtjs.2022.08.011

摘要

介绍了SiC MOSFET驱动电路的设计要求,基于ACPL-355JC光耦驱动模块设计了SiC MOSFET驱动和保护电路。该电路具有驱动能力强、响应迅速和多种保护等优势。另外,针对SiC MOSFET开关过程中存在的瞬态电压尖峰和振荡问题,分析了SiC MOSFET开关过程中产生过电压和振荡的机理,并在此基础上提出一种RC吸收电路参数的计算方法。实验结果表明利用该方法设计的RC吸收电路能够有效解决SiC MOSFET在开关过程中的过电压和振荡问题﹐从硬件电路上有效降低开关噪声,从而保护功率器件。

  • 单位
    中车青岛四方车辆研究所有限公司