一种生长在GaAs衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用

作者：李国强; 林静; 余粤锋; 张志杰

来源：2019-12-10, 中国, ZL201911258032.0.

本发明涉及(In)GaN纳米柱、能源与催化领域,具体公开了一种GaAs衬底上的(In)GaN纳米柱及其制备方法与应用。该GaAs衬底上的(In)GaN纳米柱包括衬底、衬底上的InGaAsN缓冲层层、生长在InGaAsN层上的(In)GaN纳米柱。本发明采用GaAs作为(In)GaN纳米柱衬底,显著提高了纳米柱电极的导电性,有效降低了衬底与纳米柱之间的界面阻抗,有利于增强载流子输运性能,大幅度提高纳米柱的光电性能；与此同时,新型的(In)GaN纳米柱晶体质量好,禁带宽度可调,比表面积大,可实现可见光光谱响应,适用于光电解水产氢。

• 单位
  华南理工大学