碲铟汞多晶料合成与晶体生长

作者：王领航; 介万奇

来源：稀有金属, 2009, 33(01): 129-132.

DOI：10.13373/j.cnki.cjrm.2009.01.002

• 碲铟汞
• 晶体生长
• 垂直Bridgman法
• 半导体材料
• 近红外光电探测器 mercury indium telluride
• crystal growth
• vertical Bridgman method
• semiconductor materials
• NIR photovoltaic detector

以高纯Hg,In,Te单质为原料,通过元素直接化合反应合成了碲铟汞(MIT)多晶料,并利用合成的高纯多晶料,在特殊设计的坩埚中,采用垂直Bridgman法通过自发成核方式成功地生长了尺寸为Φ15 mm×175 mm的MIT单晶体。利用X射线粉末衍射技术对MIT晶体结构及物相进行了分析,结果表明,所获得的晶体是单相的MIT晶体,为缺陷闪锌矿结构,空间群为F43m。采用高分辨X射线衍射仪测量了所生长MIT晶体的摇摆曲线,结果表明,所得晶体完整性较好,为高质量的单晶体。对所生长的MIT晶体进行了热分析,发现在MIT晶体中有Hg溢出现象。

• 单位
  凝固技术国家重点实验室; 西北工业大学