科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
采用0.25μm GaAs pHEMT E/D工艺实现了X/ Ku波段的双向真时延芯片的设计。通过在新型长号型延时结构中增加双向选择开关，实现了低插入损耗波动的双向数控可调真时延电路。其延时单元采用四阶和二阶电感耦合全通滤波器实现，单位面积下具有较高的延时量，并通过双向有源开关选择延时路径来控制延时大小。延时芯片的工作带宽为6-18 GHz，可实现3位延时，最小延时步进为15 ps，最大延时范围为106 ps。仿真结果表明，其具有相对较低的插入损耗8.1 ～ 15 dB，且损耗随时延的波动小于±2 dB。芯片尺寸为1.91 mm2，群时延均方根误差小于10ps，回波损耗大于15 dB，直流功耗为110 mW，输入1 dB压缩点大于7 dBm。
- 单位
