同面电极砷化镓光导开关的导通特性

作者：刘英洲; 韦金红; 王郎宁; 李嵩; 冯进军

来源：半导体技术, 2023, 48(01): 10-17.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2023.01.002

• 砷化镓(GaAs)
• 光导开关(PCSS)
• 同面电极
• 雪崩电离畴
• 超快速导通

砷化镓光导开关(GaAs PCSS)作为固态脉冲功率器件，具有可承载高电压、超快速导通、在高重复频率下稳定工作等特点。基于多雪崩电离畴理论，建立了同面电极GaAs PCSS的二维数值计算模型，分析了GaAs PCSS的瞬态导通特性和延迟击穿特性。仿真结果表明，载流子浓度的增加与雪崩电离畴的形成和演化之间存在正反馈环路，促使GaAs PCSS超快速导通；雪崩电离畴的形成和演化会影响PCSS的延迟击穿特性。偏置电压、光照强度、PCSS长度和触发位置均会影响PCSS的延迟时间和导通时间。该结论对GaAs PCSS设计及开展相关实验研究具有参考意义。

• 单位
  国防科技大学; 中国电子科技集团公司第十二研究所