快速瞬态响应低噪声无片外电容LDO

作者：张涛; 吴小奔; 刘劲

来源：电子元件与材料, 2023, 42(09): 1143-1149.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2023.0116

• LDO
• NMOS
• 无片外电容
• 瞬态响应
• 低噪声

针对便携式设备快速瞬态响应、低噪声、高电源抑制比等应用需求，提出了一种无片外电容NMOS型低压差线性稳压器（LDO）。该LDO基于浮栅结构，通过具有推挽输出级的放大器辅助控制，减小了电荷泵的噪声耦合；另外，通过取样输出电流控制误差放大器的输出动态范围，极大地提高了电路的瞬态响应能力。电路基于HHGrace 0.35μm BCD工艺设计，仿真结果表明，无外接电容时，负载电流在1μA～400 mA之间跳变，电路的下冲电压为203 mV,过冲电压为101 mV,响应时间小于1.5μs;在10 Hz～100 kHz的频段内，系统输出积分噪声电压为14μV·Hz-1/2。LDO达到了快速瞬态响应和低噪声的需求。

• 单位
  武汉科技大学