PbSe缓冲层表面微结构的演化及PbTe量子点的制备

作者：徐天宁; 吴惠桢; 斯剑霄; 曹春芳; 邱东江; 戴宁

来源：半导体学报, 2006, 27(z1): 87-91.

DOI：10.3969/j.issn.1674-4926.2006.z1.021

• PbSe
• MBE
• 螺旋结构
• 量子点

用分子束外延技术在BaF2衬底(111)晶面上生长了PbSe单晶薄膜,研究了不同Se/PbSe束流比(Rf)对薄膜表面形貌的影响.在无Se束流(Rf=0)下制备的PbSe薄膜表面呈现三维岛状结构.当Rf较小(例如0.2)时,样品表面呈现三角形孔状结构特征,孔的尺寸随Rf的增大而减小.当Rf较大(0.6)时,样品表面的三角形孔消失,出现单原子层厚度的螺旋结构.螺旋由台阶环构成,平面尺寸为1～3μm,表面台阶平均宽度为150nm,台阶间高度差为一个单原子层(1ML=0.354nm).PbSe薄膜表面微结构的演化是由于Se束流改变了薄膜中的应变弛豫方式,从而改变了薄膜的生长模式引起的.最后,我们在以螺旋结构为特征的PbSe缓冲层表面自组织生长了PbTe量子点,观察到两种高度分布的量子点.

• 单位
  浙江大学; 中国科学院上海技术物理研究所; 红外物理国家重点实验室