溅射气压对氧化镓薄膜光学特性的影响

作者：张芮馨; 孙辉; 程佳; 刘子童; 陈建金; 沈龙海^*

来源：半导体光电, 2021, 42(06): 875-878.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2021100201

• Ga2O3薄膜
• 射频磁控溅射
• 晶体结构
• 光学带隙
• 光致发光

采用射频磁控溅射法在石英衬底上制备了氧化镓(Ga2O3)薄膜。利用X射线衍射仪和紫外-可见-红外分光光度计分别对Ga2O3薄膜的晶体结构和光学带隙进行了表征,并在室温下测量了Ga2O3薄膜的光致发光(PL)谱。结果表明:制备的Ga2O3薄膜呈非晶态。吸收边随着溅射气压的增加先蓝移后红移,光学带隙值范围为5.06～5.37 eV,溅射气压为1 Pa时,制备的Ga2O3薄膜具有最大的光学带隙。在325 nm激光激发下,400 nm附近和525 nm附近处出现与缺陷能级相关的发光峰。

• 单位
  沈阳理工大学