Ga N作为典型的宽禁带半导体材料，具有高耐温、高耐击穿电压以及高电子迁移速率的优势，封装技术对于充分发挥Ga N的以上优势并保障工作可靠性十分关键。本文首先对比分析了Si基、SiC基和Ga N基器件/模块封装的异同，随后从封装杂散电感、封装散热设计和封装连接可靠性三个方面，分别介绍其带来的问题以及解决方案，讨论了目前研究可能存在的不足。基于综述分析，最后本文提出了未来GaN功率器件/模块封装技术亟待解决的问题以及研究展望。
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