制备工艺对氧化钨电致变色薄膜性能的影响

作者：罗畅; 周白杨; 黄涛; 吴武地

来源：功能材料与器件学报, 2012, 18(02): 165-171.

DOI：10.3969/j.issn.1007-4252.2012.02.014

• WO3薄膜
• 射频反应磁控溅射
• 真空热处理
• 电致变色

采用WO3陶瓷靶,运用射频反应磁控溅射工艺,通过正交试验方法优化实验参数,制备出性能优异的WO3电致变色薄膜,通过对薄膜进行真空热处理,提高了薄膜变色存储能力。结果表明,氧分量为60%、压强为2.5Pa、功率为145W时制备的薄膜,对光调制幅度(ΔT)达89.3%。适度温度真空热处理可改善薄膜性能,着色率略有提高,变色存储时间增加(达32h),离子存储能力增大(达3.96mC/cm2),循环稳定性能良好,同时热处理使薄膜晶化,密度增加,变色响应时间增加。

• 单位
  材料科学与工程学院; 福州大学; 福州大学至诚学院