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摘要
基于忆阻器在电路中具有记忆的特性,借助于PSPICE软件进行忆阻器模型以及基于忆阻器的突触电路的建立与仿真。利用磁控溅射方法在Si衬底上制备NiO忆阻器实物。电学测试结果发现,该忆阻器的电阻随着电压的变化而变化,得到了典型的V-I滞回特性曲线。将NiO忆阻器实物连接到突触的硬件电路中,实物测试结果显示出与基于忆阻器的突触仿真电路同样的LTP效应和LTD效应,进一步证实该硬件电路中存在突触可塑性。
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单位天津职业技术师范大学; 电子工程学院
