磁控溅射技术室温生长氢化ZnO∶Ga薄膜及其特性研究

作者：王斐; 陈新亮; 张翅; 张德坤; 魏长春; 黄茜; 张晓丹; 赵颖; 耿新华

来源：人工晶体学报, 2011, (06): 1404-1409.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2011.06.023

• 脉冲磁控溅射
• 氧化锌
• 镓掺杂
• H2流量
• 绒面结构 pulsed DC magnetron sputtering
• zinc oxide
• gallium
• H2-flow
• textured surface

采用直流脉冲磁控溅射方法,在室温下生长氢化Ga掺杂ZnO薄膜(GZO/H),并通过湿法后腐蚀技术获得绒面结构。研究了室温下H2流量对薄膜结构、光电性能及表面形貌的影响。实验表明,氢化GZO(GZO/H)薄膜具有良好的(002)晶面择优取向生长,引入适当流量的H2可以有效提高薄膜的电学特性,GZO/H薄膜具有更低的电阻率以及较高的迁移率和载流子浓度。当通入H2流量为6 sccm时,薄膜电阻率为6.8×10-4Ω.cm,Hall迁移率达34.2 cm2/V.s,制备的GZO/H薄膜可见光区域平均透过率优于85%。此外,研究了H2流量对湿法腐蚀后绒面GZO/H薄膜表面形貌的影响,提出了一种薄膜绒面结...

• 单位
  南开大学