摘要
【目的】研究镉在南瓜植株中的吸收积累特性及镉胁迫对南瓜叶片光合特性的影响。【方法】采用微波消解-ICP-AES技术,以中国南瓜‘盐砧一号’为试验材料,设置0、2、4、6 mg/L共4个镉胁迫质量浓度的基质栽培试验,测定Cd在南瓜不同器官的分布、Cd的亚细胞分布以及镉胁迫下南瓜叶片的光合作用参数。【结果】Cd在南瓜植株根中量远大于茎和叶,随着镉胁迫质量浓度增大,根中富集系数(BCF)呈上升趋势,转运系数TF值逐渐降低。Cd在不同器官亚细胞组分中呈不均匀分布,其中根系中以细胞壁的分配率最高达到47.63%~57.69%;其次为细胞质;细胞器中含Cd量仅占1.93%~4.59%。镉胁迫对南瓜植株净光合速率(Pn)和胞间CO2量(Ci)影响不明显,但镉胁迫显著抑制了气孔导度(Gs)和蒸腾速率(Tr)。【结论】在镉胁迫下,中国南瓜‘盐砧一号’能将Cd富集在根系的细胞壁中,从根部转移到茎和叶的能力减弱,对光合作用没有造成显著抑制作用。
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