本发明涉及一种基于金刚石衬底的氮化镓器件及其制备方法。其中,基于金刚石衬底的氮化镓器件的制备方法包括步骤：在氮化镓材料层的第一面生长金刚石层；在所述氮化镓材料层的第二面生长AlN成核层；在所述AlN成核层上生长GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上生长AlGaN势垒层。该制备方法通过在氮化镓材料层的第一面直接生长金刚石层,避免引入介质层,消除了介质层材料热阻的影响,使得金刚石与氮化镓材料直接接触,从而使氮化镓器件直接利用热导率较高的金刚石进行散热,有效解决了氮化镓大功率器件的散热问题。
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
