异质外延碲镉汞薄膜的位错抑制技术

作者：覃钢; 李东升^*; 夏宗泽; 邸卓; 陈卫业; 杨晋; 杨春章; 李艳辉

来源：红外技术, 2019, 41(05): 405-412.

• 异质衬底
• 碲镉汞
• 位错抑制
• 循环退火
• 腐蚀坑密度

本文简述了MBE异质外延碲镉汞薄膜位错形成机理、位错在外延层中的演化过程以及位错抑制理论,总结了国内外CdTe缓冲层的位错抑制技术、HgCdTe薄膜的位错抑制技术,分析了热循环退火技术各个要素与位错密度变化之间的关系。

• 单位
  昆明物理研究所