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摘要
研究了连续激光对硅基PIN探测器中光生载流子的影响机理，建立1 064 nm连续激光辐照硅基PIN探测器光生载流子的理论模型，搭建在线输出电流精确采集系统，研究了硅基PIN探测器在不同偏置电压、不同激光功率、不同作用时间条件下，其输出电流的变化规律。结果表明：硅基PIN探测器在外置偏压作用下，输出电流分为三个阶段：光生电流阶段、过渡阶段和恢复阶段。在光生电流阶段，输出电流随着外置偏压的增大而增大。在过渡阶段，输出电流随电压的增大而增大。随着激光注入量的停止，硅基PIN探测器进入恢复阶段及散热阶段，硅基PIN探测器特性开始缓慢恢复。
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单位物理学院; 长春理工大学
