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摘要
本发明公开了一种具有闩锁免疫特性的EP-LVTSCR器件,包括：P型衬底,所述P型衬底上包括有相邻的N阱和P阱；其中,所述N阱内从左至右依次设有第一N+注入区、第一P+注入区和第二P+注入区,所述第一P+注入区和所述第二P+注入区之间的表面设有第一栅氧化层区；所述P阱内从左至右依次设有第二N+注入区、第三P+注入区；所述N阱和所述P阱之间跨接有第三N+注入区,所述第三N+注入区表面设有SAB层；所述第三N+注入区与所述第二N+注入区之间的表面设有第二栅氧化层区；所述第二P+注入区与所述第三N+注入区之间设有第一浅沟槽隔离区。本发明提供的EP-LVTSCR器件降低了触发电压,提高了维持电压,克服了传统LVTSCR器件结构的闩锁问题。
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