本发明公开了一种微电极沉积掩膜的制备方法。该方法包括以下步骤：该掩膜采用光刻胶沉积、光学曝光、剥离、湿法刻蚀、聚焦离子束切割等半导体加工工艺制程,制作出可用于沉积微电极外接大电极的掩膜,用于电极材料的可控沉积。该掩膜既可用于从小尺寸样品区域引出微电极,也可以用于制备与微电极直接相连的导线和用于测试用的大电极,为二维层状材料等小尺寸样品的直接电学性能测试提供了便利,具有产业利用价值。
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