针对传统晶体生长安瓿封装技术存在传热不均和封装位置不易控制的问题,提出了一种基于氢气流量和加热位置控制的晶体生长安瓿封装装置,开展了氢气流量与燃烧热计算。实验结果表明:晶体生长安瓿封装装置加热控制稳定性和加热位置控制精度好,可在30秒内完成1个晶体生长安瓿封口封装,封装出的晶体生长安瓿一致性好,该晶体生长安瓿封装设备已广泛应用于红外探测器领域。
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