ZnS衬底上二维亚波长结构抗反射表面的制备及性能研究

作者：武倩; 刘正堂; 李阳平; 徐启远

来源：真空科学与技术学报, 2011, (05): 579-583.

• 二维亚波长结构
• 抗反射
• 反应离子刻蚀
• 刻蚀形貌 Two-dimensional sub-wavelength structure
• Antireflection
• Reactive ion etching
• Etching pattern

采用接触式紫外光刻和反应离子刻蚀工艺在ZnS衬底上制备二维亚波长结构抗反射表面。在优化的光刻工艺下,以CH4、H2及Ar的混合气体为刻蚀剂,研究了刻蚀工艺对刻蚀速率和刻蚀形貌的影响。结果表明,刻蚀速率随着射频功率的增大线性增大,随着工作压强的增加先增大后减小,随着CH4含量的增大先增大后降低。功率过大会导致刻蚀产物发生二次沉积,CH4流量过高会导致聚合物的生成加剧,这些都会影响刻蚀形貌。最后在优化的刻蚀工艺下制备出了8～12μm波段具有较好的宽波段增透效果的二维亚波长结构。

• 单位
  西北工业大学; 材料学院; 凝固技术国家重点实验室