氧化铟薄膜制备及其特性研究

作者：原子健; 朱夏明; 王雄; 张莹莹; 万正芬; 邱东江; 吴惠桢; 杜滨阳

来源：无机材料学报, 2010, (02): 141-144.

• 氧化铟
• 射频磁控溅射
• 表面形貌
• X射线衍射
• 电学特性 In2O3
• RF magnetron sputtering
• surface morphology
• XRD
• electrical properties

采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备氧化铟薄膜,通过测试原子力显微镜、X射线衍射、X射线光电子谱、紫外可见分光光度计以及霍尔效应,研究了氧化铟薄膜的结构和光、电特性.实验发现,氧化铟薄膜表面粗糙度随着生长温度的升高而增大.X射线衍射结果表明薄膜为立方结构的多晶体,并且随着生长温度的升高,可以看到氧化铟薄膜的晶粒变大以及半高宽减小,这也说明结晶质量的改善.在可见光范围的透射率超过90%.同时,在氩气氛围下制备的薄膜迁移率最大,其电阻率、霍尔迁移率和电子浓度分别达到了0.31Ω.cm、9.69 cm2/(V.s)和1×1018cm-3.退火处理可以改善氩氧氛围下制备的薄膜的电学性能.

• 单位
  浙江大学; 硅材料国家重点实验室