一种基于Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S合金量子点的白光发光二极管的制备方法

作者：黄高翔; 黄彦; 刘自磊; 王进贤; 秦心悦; 魏加湖; 李凤

来源：2019-12-11, 中国, CN201911265972.2.

本发明公开了一种基于Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S合金量子点的白光发光二极管的制备方法,包括制备绿色环保型的量子点AgInGaS2,包括制备Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S四元合金量子点,包括将Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S四元合金量子点在蓝光发光二极管芯片上得到量子点的白光发光二极管。本发明采用分步合成法、涂覆技术和紫外固化技术实现Mn掺杂双发射Ag-In-Ga-S四元合金量子点的白光发光二极管的制备。制备方法简单,制备所得的量子点产率高,制备所得的发光芯片显示指数高,只需一种量子点就可以达到发射双峰的效果。

• 单位
  南昌航空大学