6H-SiC表面热氧化SiO_2的正电子谱研究

作者：袁菁; 龚敏; 王海云; 翁惠民

来源：四川大学学报(自然科学版), 2010, (02): 331-334.

• 慢正电子湮灭多普勒展宽谱
• 6H-SiC
• SiO_2
• 空位型缺陷
• 退火工艺 positron annihilation doppler-spread- spectroscopy
• 6H-SiC
• SiO_2
• void defect
• annealing

本文将慢正电子湮灭多普勒展宽谱技术,应用于对SiC表面热氧化生长的SiO_2特性的研究.S参数和W参数在退火前后的变化,直观的反映出SiO_2/SiC表面氧化层中空位型缺陷浓度的改变.通过与SiO_2/Si样品的对比,证实C元素及其诱生空位型缺陷的存在,很可能是影响SiO_2/SiC氧化层质量和SiC MOS击穿特性的重要因素,后退火工艺可以提高SiO_2/SiC中氧化层的致密性.实验表明,慢正电子湮灭多普勒展宽谱是研究热氧化SiO_2特性的有效手段.

• 单位
  四川大学