后续处理对SrTiO3基晶界层电容器绝缘电阻的影响

作者：张木森; 石大为; 徐玲芳; 王瑞龙; 肖海波; 梁世恒; 杨昌平^*

来源：湖北大学学报(自然科学版), 2021, 43(03): 289-294.

• SrTiO3晶界层电容器
• 介电性能
• 后续热电处理
• 绝缘电阻

采用二步法制备SrTiO3晶界层电容器,并对其进行后续热、电和液氮处理,研究处理前后电容器电学性能的变化.实验结果表明,在50 V直流电压和200℃条件下对SrTiO3晶界层电容器进行后续快速退火和液氮处理后,其介电常数和介电损耗在基本保持不变的情况下,其绝缘电阻值可得到大幅提升,从最初30 GΩ上升至200 GΩ.通过处理,最后可获得平均介电常数为30 000,损耗为0.003,绝缘电阻(50 V测量)为200 GΩ的高性能SrTiO3晶界层电容器.

• 单位
  数理学院; 湖北理工学院; 太原科技大学