一种基于65纳米CMOS工艺的77GHz低噪声放大器设计

作者：张书豪^*; 何进; 李硕; 王豪; 常胜; 黄启俊

来源：电子元件与材料, 2021, 40(10): 1022-1027.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.0235

• 低噪声放大器
• 共源共栅结构
• 噪声系数
• 回波损耗

应用于射频接收机前端的低噪声放大器(Low-Noise Amplifier, LNA)通常需要有更小的噪声和更高的增益,针对这一问题,基于65 nm CMOS工艺并采用四级放大器级联的方式设计了一种77 GHz(E波段)低噪声放大器。为了优化噪声系数、提高增益并改善输入阻抗匹配,LNA设计引入了源极负反馈传输线和级间补偿传输线。仿真结果为:LNA在1.2 V的电源供电下,功耗为41 mW,79 GHz处的增益为22 dB,噪声系数(Noise Figure, NF)为7.1 dB,输入1 dB压缩点为-23 dBm,输入回波损耗为-28.5 dB,输出回波损耗为-20.5 dB,版图尺寸为400μm×860μm。因此,LNA在噪声系数与增益性能上的表现良好,适用于毫米波接收系统。