放电等离子烧结制备Ba~(2+)掺杂γ-La_2S_3陶瓷及其性能研究

作者：沙欢; 李焕勇; 罗发; 汤庆新; 李培森

来源：人工晶体学报, 2012, (02): 318-322.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2012.02.012

• γ-La2S3
• Ba2 掺杂
• 放电等离子烧结
• 红外透过率 γ-La2S3
• Ba2 doping
• spark plasma sintering
• infrared transmittance

以气固反应硫化制备的γ-La2S3粉体为原料,采用放电等离子烧结(SPS)技术制备出γ-La2S3多晶陶瓷。研究了Ba2+掺杂量对得到γ-La2S3粉体物相结构的影响,并分析了烧结温度、再硫化工艺参数对γ-La2S3多晶陶瓷微观组织结构和红外透过率的影响。结果表明:掺入Ba2+有利于低温获得稳定的高温型γ-La2S3相,在nLa/nBa为5～15时能够得到纯相的γ-La2S3粉体。在烧结温度为1150℃,保温时间为5 min时制备出的γ-La2S3陶瓷致密,无明显气孔,在CS2气氛下再硫化2.5 h后,在10～14μm波段的红外峰值透过率达到42%。

• 单位
  凝固技术国家重点实验室; 西北工业大学; 材料学院