新型S型CdS-BiVO4异质结光电极的构筑及产氢性能研究

作者：薛晋波^*; 高国翔; 申倩倩; 刘天武; 刘旭光; 贾虎生

来源：高等学校化学学报, 2021, 42(08): 2493-2499.

• S型异质结
• 光电极
• 内建电场
• 产氢

通过化学浴和连续离子层沉积法构筑了BiVO4/CdS和CdS/BiVO4两种S型异质结薄膜光电极.利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)以及电化学阻抗谱(EIS)对其形貌、结构和光电性能进行了表征,测试了两种薄膜电极的光催化和光电催化产氢性能.结果表明, CdS和BiVO4之间形成S型异质结, BiVO4/CdS表现出最佳的光催化产氢性能,而CdS/BiVO4表现出最佳的光电催化产氢性能.借助表面光电压技术探究了两种薄膜电极中S型异质结内建电场的形成过程和载流子传输的机制.

• 单位
  太原理工大学