锗酸铅(Pb_5Ge_3O_(11))铁电单晶的生长与缺陷研究

作者：吴宪君; 徐家跃; 金蔚青

来源：人工晶体学报, 2004, (03): 350-353.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2004.03.017

• 锗酸铅单晶
• 坩埚下降法
• 晶体生长
• 缺陷 lead germanate single crystal
• Bridgman method
• crystal growth
• defect

采用坩埚下降法成功生长了铁电锗酸铅 (Pb5Ge3 O11)单晶。所用Pt坩埚尺寸为2 5mm× 2 0 0mm和10mm×6 0mm ,炉温控制在高于熔点 5 0～ 80℃ ,固液界面温度梯度小于 2 5℃ /cm ,生长速率小于 0 .5mm/h。所得晶体呈浅棕色 ,最大尺寸达2 5mm× 6 0mm。采用光学显微镜 (OM)及电子探针 (EPMA)研究了所得晶体的生长缺陷 (气泡、包裹体等 ) ,讨论了产生这些缺陷的原因 ,提出了控制及减少此类缺陷的方法。

• 单位
  中国科学院上海硅酸盐研究所