为详细研究超级结体内独特的二维电场分布，通过Silvaco软件建立半导体超级结器件基本结构（超级结Pi N），展开直观的定量仿真分析。在仿真中对漏极施加正向电压，得到电场分布图和包括电场峰值、谷值在内的多个特征点。通过连接特征点得到四类特征电场线，沿着各个特征电场线观察其电场变化，验证纵向电荷场对横向电荷场的调制作用。对传统超级结模型进行优化，添加N-缓冲层仿真出半超结P（或N）漂移区中心电场分布，并与传统结构进行对比。
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