英飞凌扩展SiC产品组合推8款650V器件

来源：世界电子元器件, 2020, (05): 32-34.

<正>目前,以GaN、SiC为代表的第三代半导体因具备优异的材料物理特性,为进一步提升电力电子器件的性能提供了更大的空间。SiC作为第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟,应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,目前在已经形成了全球的材料、器件和应用产业链。根据IHS预测,2020年650 V CoolSiCTM MOSFET领域将会有近5000万美元的市场份额,至2028年,市场份额将会达到一亿6000万美元,复合成长率达16%,如此广阔的增长空间,给专注于SiC市场的半导体厂商带来更多的机遇。加之SiC的应用领域非常广泛,包括电源供应器、不间断电源、电动汽车充电、马达驱动以及光伏和储能等。如此广阔的市场空间以及广泛的应用场景吸引了很多半导体厂商,其中包括英飞凌。