一种低功耗CMOS可编程模拟延时电路

作者:黄志慧; 刘博; 张金灿; 刘敏; 孟庆端
来源:微电子学, 2019, 49(02): 225-236.
DOI:10.13911/j.cnki.1004-3365.180293

摘要

提出了一种基于65 nm CMOS工艺的5位可编程模拟延时电路。采用1.2 V的电源电压和0.01 V的步进控制电压来实现方波输入信号的延时控制。利用Cadence软件对该延时电路进行了性能分析。仿真结果表明,在典型低阈值工艺角下,该延时电路利用5位延时控制信号达到了0.34 ns/LSB的最高延时分辨率和41.47 ns的最长输出延时,实现了对1 kHz~1 MHz范围的数字方波信号的有效延时控制。该延时电路适用于低频数据采集、数据存储等系统。

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