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摘要
作为一种非金属聚合半导体,石墨相氮化碳(g-C3N4)具有特殊的能带结构、可见光响应能力以及优良的物理化学性质以及生产成本低等特点,因而已成为目前光催化领域的研究热点.然而,由于g-C3N4被光激发的电子与空穴极易复合,导致g-C3N4材料的光催化性能并不理想.而助剂修饰是实现光生载流子有效分离以提高光催化活性的有效途径.众所周知,贵金属Pt可以作为光催化产氢的反应位点,但高昂的成本限制了它的实际应用.所以,开发高效的非贵金属助剂很有必要.近年来,Ni S作为优良的电子助剂在光催化领域受到广泛关注.大量研究表明,Ni S可以作为g-C3N4的产氢活性位点用于提高其光催化产氢性能.Ni S助剂主要是通过水热、煅烧和液相沉淀的方法修饰在g-C3N4的表面上.相较而言,助剂的光沉积方法具有一些独特的优势,例如节能、环保、简易并且能够实现其原位牢固地沉积在光催化剂的表面.然而g-C3N4光生电子和空穴强还原和氧化能力容易导致像Ni2+的还原和S2-的氧化等副反应发生,因此Ni S助剂很难光沉积在g-C3N4材料表面.本文采用硫调控的光沉积法成功合成了Ni S/g-C3N4光催化材料,该法利用g-C3N4在光照条件下产生的光生电子结合S以及Ni2+生成Ni S,然后原位沉积在g-C3N4表面.由于E0(S/NiS)(0.096 V)比E0(Ni2+/Ni)(-0.23 V)更正,所以Ni S优先原位沉积在g-C3N4表面.因此,硫调控的光沉积法促进了Ni S的生成,并抑制了金属Ni等副反应的形成.通过X射线光电子能谱分析NiS/g-C3N4的表面化学态,表明该方法能成功地将NiS修饰在g-C3N4的表面,这也得到透射电镜和高分辨透射电镜结果的证实.光催化产氢的结果表明,Ni S/g-C3N4光催化剂实现了良好的光催化性能,其最优产氢速率(244μmol h-1 g-1)接近于1 wt%Pt/g-C3N4(316μmol h-1 g-1).这是因为硫调控的光沉积法实现Ni S助剂在g-C3N4表面的修饰,从而促进光生电子与空穴的有效分离,进而提高光催化制氢效率.此外,在该方法中,Ni S的形成通常在g-C3N4光生电子的表面传输位点上,因此也能够使Ni S提供更多的活性位点以提高界面产氢催化反应速率.电化学表征结果也进一步证明NiS/g-C3N4光催化剂加快了电子与空穴的分离和转移.更重要的是,这种简易且通用的方法还可以实现CoSx,CuSx,AgSx对g-C3N4的助剂修饰,并且都提高了g-C3N4的光催化产氢性能,表明该方法具有一定的普适性,为高效光催化材料的合成提供了新的思路.
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